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J-GLOBAL ID：200903016886199910

ポリイミド基板の製造方法

Inventor： 久保田 隆 ,  鈴木 篤 ,  古田 隆昭 ,  倉本 佳男
Applicant, Patent owner： 東レエンジニアリング株式会社 ,  レイテック株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994134947
Publication number (International publication number)：1995321457
Application date： May. 24, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 金属層との密着性や電気的特性等において一段と優れた特性を有する、ポリイミドフィルムと金属層との二層ポリイミド基板を得ることができる製造方法を提供する。【構成】 最初に、ポリイミドフィルムの表面を、硝酸及びアルカリを用いて活性化処理し、次いで、そのまま、若しくは、ポリアミド酸溶液を塗布した後、塩化パラジウムで処理する。そして、更に、200°C以上の熱処理に引き続いて湿式メッキによる金属層の形成、若しくは、湿式メッキによる金属層の形成に引き続いて200°C以上の熱処理を行う。なお、その際、前記塩化パラジウムの還元処理を、それの付与に引き続いて、若しくは、200°C以上の熱処理と湿式メッキ間において行う。

Claim (excerpt)：

ポリイミドフィルムの表面を、薬液を用いて活性化処理し、次いで、触媒を付与せしめた後、200°C以上の加熱処理して安定化せしめ、更に、湿式メッキにより金属層を形成することを特徴とするポリイミド基板の製造方法。

IPC (3)：

H05K 3/38 ,  C23C 18/28 ,  H05K 3/18