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J-GLOBAL ID：200903016886289323

半導体装置

Inventor： 島田 康憲 ,  後藤 政仁 ,  斉藤 尚史 ,  谷口 幸治
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219031
Publication number (International publication number)：1993055575
Application date： Aug. 29, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の電極配線等の薄膜を、低く安定した抵抗値を有し、しかも耐薬品性に優れた材料で形成できるようにする。【構成】 ゲート電極配線2は、TaとNbの合金、Nb又はNbを主成分とする金属を使用して形成している。これらTaとNbの合金、Nb又はNbを主成分とする金属からなるゲート電極配線2は、従来のTaからなるものよりも比抵抗が低く、かつ安定しており、また薬品性が優れている。また、ゲート電極配線をTaとNbの合金からなる層とTaからなる層の2層構造とした場合は、2層間の密着力を向上させることができ、加えて、TaとNbの合金からなる層はTaと同レベルの耐薬品性を有するので、下層が上層より多くエッチングされてオーバーハングの形状になることがない。更に、ゲート絶縁膜に陽極酸化法によるゲート電極配線の自己酸化膜を用いた場合は、ゲート絶縁膜をリーク不良防止に有効な多層構造にできる。

Claim (excerpt)：

基板上に、TaとNbの合金、Nb又はNbを主成分とする金属からなる電極配線が形成された半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭1-230767
  
• 特開昭64-084229
  
• 特開平2-106723