III族窒化物半導体基板の製造方法およびIII族窒化物半導体基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007158815
Publication number (International publication number)：2008120670
Application date： Jun. 15, 2007
Publication date： May. 29, 2008
Summary：

【課題】手間を要さず、下地基板を剥離することができるIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびこの製造方法により製造されたIII族窒化物半導体基板を提供すること。【解決手段】本実施形態の自立基板の製造方法は、以下の工程を含むものである。(i)下地基板10上に、炭化アルミニウム層11を形成する工程、(ii)上記炭化アルミニウム層11を窒化する工程、(iii)窒化された上記炭化アルミニウム層12の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程、(iv)上記III族窒化物半導体層から、上記下地基板10を除去し、上記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

下地基板上に、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層を形成する工程と、前記炭化物層を窒化する工程と、窒化された前記炭化物層の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、前記III族窒化物半導体層から、前記下地基板を除去し、前記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程と、を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 5/323 , C23C 16/01

FI (4)：

C30B29/38 D , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , C23C16/01

F-Term (31)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077EE06 , 4G077EF03 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 4G077TB02 , 4G077TC14 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA77 , 5F173AG20 , 5F173AH22 , 5F173AP04 , 5F173AQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

窒化物半導体から成る単体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-239835 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム単結晶基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-127926 Applicant：三星コーニング株式会社
窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-088294 Applicant：日立電線株式会社, 日本電気株式会社

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