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J-GLOBAL ID：200903016888961568

光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び該エポキシ樹脂組成物を用いた光半導体装置

Inventor： 土田 悟 ,  小坂 正彦 ,  広川 孝三 ,  中村 泰章
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995117032
Publication number (International publication number)：1996311168
Application date： May. 16, 1995
Publication date： Nov. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 透明性、信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物及びこのエポキシ樹脂組成物の硬化体で封止された光半導体装置を提供すること。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を必須成分として含有してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。(A)1分子中に3個以上のエポキシ基を含有するエポキシ樹脂(B)下記一般式(I)で表され、かつフェノール性水酸基当量(g/eq)が200〜800の範囲にあるフェノール樹脂(C)硬化促進剤【化1】(但しn=0,2,4,・・・・・からなる混合物であり、n=0成分が占める割合は、混合物全体の20重量%以下である。)

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を必須成分として含有してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。(A)1分子中に3個以上のエポキシ基を含有するエポキシ樹脂(B)下記一般式(I)で表され、かつフェノール性水酸基当量(g/eq)が200〜800の範囲にあるフェノール樹脂(C)硬化促進剤【化1】(但しn=0,2,4,・・・・・からなる混合物であり、n=0成分が占める割合は、混合物全体の20重量%以下である。)

IPC (4)：

C08G 59/62 NJF ,  C08G 59/62 NJS ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

C08G 59/62 NJF ,  C08G 59/62 NJS ,  H01L 23/30 R