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J-GLOBAL ID：200903016891980310
レーザーアニール方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991152477
Publication number (International publication number)：1993182923
Application date： May. 28, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】結晶性が高く、しかもレーザーのエネルギー密度に対する依存性が小さく、さらに均一性に優れた多結晶シリコン膜を得るためのレーザーアニール方法を提供する。【構成】非晶質半導体膜をレーザー光によって結晶化する方法であって、レーザーを照射する前にその非晶質半導体膜の結晶化温度以下の温度で加熱アニールし、非晶質半導体中の水素を出すことにより不対結合手を形成させ、しかる後にレーザー光を照射するとによって、非晶質半導体膜を結晶化する。
Claim (excerpt)：
レーザー光を照射して非晶質半導体を結晶化させる工程であって、レーザーを照射する前に真空または不活性雰囲気中において非晶質半導体の結晶化温度以下の温度で加熱アニールし、さらに真空または不活性雰囲気中においてレーザー照射を行い前記加熱アニールされた非晶質半導体を結晶化させることを特徴とするレーザーアニール方法。
IPC (4)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/784
