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J-GLOBAL ID：200903016919670206

異質構造の製造方法

Inventor：
マルティネ ミュリエル

About マルティネ ミュリエル

, 
ブサゴル アリス

About ブサゴル アリス


Applicant, Patent owner：
エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース

About エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース


Agent (2)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004170674
Publication number (International publication number)：2005005708
Application date： Jun. 09, 2004
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：
【課題】 異なる熱膨張係数を有する2つの基板が接合した構造を製造するための新たな方法を提供する。 【解決手段】 第1の物質によって構成される第1の基板20と、第1の物質とは熱膨張係数が異なる第2の物質によって構成される第2の基板22と、第1および第2の物質の一方または他方と同じである物質から形成されるか、或いは第1および第2の物質の一方または他方の熱膨張係数と近似するかまたは同じである熱膨張係数を有する物質で構成される第3の基板26とを選択する工程と、第1の基板20と第2の基板22とが貼り合わさるように、且つ、第1および第2の基板20および22のうちの1つと第3の基板26とが貼り合わさるように集合体を形成する工程と、第1の基板20の厚み内に亀裂を生じさせる工程とを含む。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
第1の物質の層を、第2の物質によって構成される基板上に形成する方法であって、 前記第1および第2の物質は異なる熱膨張係数を有し、 第1の物質によって構成される第1の基板と、第2の物質によって構成される第2の基板と、前記第1および第2の物質の一方または他方と同じである物質から形成されるか、或いは前記第1および第2の物質の一方または他方の熱膨張係数と近似するかまたは同じである熱膨張係数を有する物質で構成される第3の基板とを選択する工程と、 前記第1の基板と前記第2の基板とが貼り合わさるように、且つ、前記第1および第2の基板のうちの1つと前記第3の基板とが貼り合わさるように集合体を形成する工程と、 前記第1の基板の厚み内に亀裂を生じさせる工程とを含む方法。
IPC (3)：
H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12
FI (4)：
H01L21/02 B ,  H01L21/02 C ,  H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 欧州特許出願公開第767486号明細書
  • 米国特許第5395788号明細書
Cited by examiner (4)
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