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J-GLOBAL ID：200903016922566665

薄膜形成方法および薄膜形成装置および半導体素子

Inventor： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347537
Publication number (International publication number)：1994204138
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基体上に薄膜を形成されてなる薄膜素子の素子特性を従来のものより向上させ、且つ薄膜素子のスループットを向上させ、薄膜素子のコストダウンを目的とする。【構造】 内部を減圧にすることができる第1の真空容器A101に一種以上の第1の原料ガス群を導入し、基板103上に薄膜を形成するMWプラズマ領域114と、可視光または紫外光のエネルギーによって第1の原料ガス群を分解して生成された活性種が存在する活性領域115とが互いに分離されて形成され、かつ、MWプラズマと活性種とを共有する共有領域116も形成された状態で、活性種領域、共有領域、MWプラズマ領域に順次沿って基体を移動させて薄膜の形成を行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一種以上の第1の原料ガス群を導入するための手段を備えた、内部を減圧にすることができる第1の真空容器と、マイクロ波(以下『MW』当略記する)プラズマを発生させるための手段と、可視光または紫外光のエネルギーによって第1の原料ガス群を分解して活性種を発生させるための手段とを有し、該第1の真空容器内には、MWプラズマの存在するMWプラズマ領域用の空間と、可視光または紫外光のエネルギーによって第1の原料ガス群を分解して生成された活性種が存在する活性領域用の空間とが互いに分離されて形成されているとともに、前記両空間の一部を連通するMWプラズマと活性種とを共有する共有領域用の空間が形成されており、さらに、前記活性領域用の空間、共有領域用空間およびMWプラズマ領域用の空間に順次沿って基体を移動させるための手段を有していることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04