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J-GLOBAL ID：200903016931703454

強誘電体FET素子

Inventor： 渡部 行男
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995073857
Publication number (International publication number)：1996274195
Application date： Mar. 30, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 チャンネル部との接触抵抗及び金属配線との接触抵抗が低く、かつ読み出し用のスイッチングトランジスターを容易に組み込む可能な強誘電体FET素子を提供すること。【構成】 基板上に、ソース、ドレイン、ソースドレイン間のチャンネル及びソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有する強誘電体FET素子において、チャンネルが(1)希土類金属またはBi及び(2)周期表第4族から第11族の金属元素から選ばれる少なくとも一種類の金属元素を含むペロブスカイト構造の酸化物半導体から、ソース及びドレインが金属的電気伝導を示す酸化物導体からそれぞれ形成され、かつ、チャンネル上に少なくとも一部がペロブスカイト構造を有する強誘電体である金属酸化物層及びこれに接して設けられたゲート電極が形成されてなることを特徴とする強誘電体FET素子。

Claim (excerpt)：

基板上に、ソース、ドレイン、ソースドレイン間のチャンネル及びソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有する強誘電体FET素子において、チャンネルが(1)希土類金属またはBi及び(2)周期表第4族から第11族の金属元素から選ばれる少なくとも一種類の金属元素を含むペロブスカイト構造の酸化物半導体から構成され、ソース及びドレインが金属的電気伝導を示す酸化物導体により形成され、該チャンネル上に少なくとも一部がペロブスカイト構造を有する強誘電体である金属酸化物層及びこれに接して設けられたゲート電極が形成されてなることを特徴とする強誘電体FET素子。

IPC (9)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  C01G 3/00 ,  C30B 23/00 ,  C30B 29/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7)：

H01L 29/78 371 ,  C01G 3/00 ,  C30B 23/00 ,  C30B 29/22 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 618 B