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J-GLOBAL ID：200903016961408082

半導体装置

Inventor： 山口 厚司
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994090396
Publication number (International publication number)：1995297695
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】FWDの逆回復時に発生する高プラスdv/dtにより誤動作しない過熱保護機能を備えた半導体装置を提供する。【構成】半導体装置がIGBT3およびFWD4の並列回路をブリッジ結線したインテリジェントパワーモジュールからなり、その下側アーム2の駆動回路を搭載した制御用IC16が、IGBT3の過電流をその検出抵抗7で検出する過電流保護回路、およびIGBT3の過熱をサーミスタ8で検出する過熱保護回路を備えたものにおいて、FWD4の逆回復時に発生する高プラスdv/dtによりアラーム信号の共通出力端子A/Eに発生するサージ電圧を抑制するサージ電圧抑制手段として、例えばアラーム信号の共通出力端子A/Eから制御電源21の入力端子Vccに向かう方向を順方向として端子間に接続された順電圧降下の低い一方向性降伏ダイオード(ショットキーダイオード)20を備える。

Claim (excerpt)：

スイッチング素子としてのIGBTを搭載した複数のパワー基板部と、その駆動回路を搭載した制御用ICとが方形容器に収納され、各相一対のIGBTが直流ライン間にアーム接続されて直流端子および交流端子が前記方形容器の枠状部分に配列されるとともに、制御用ICがIGBTの過電流および短絡電流検出信号の入力端子,IGBT側に配された負性抵抗素子による過熱検出信号の入力端子と,駆動回路が過電流,短絡電流,または過熱を検出して発するアラーム信号の共通出力端子とを備えたものにおいて、IGBTのスイッチングに伴って共通出力端子に生ずる過熱アラーム信号の誤動作をサージ電圧の抑制によって阻止するサージ電圧抑制手段を制御用ICの共通出力端子側に設けてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H03K 17/00 ,  H02M 1/00 ,  H03K 17/08