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J-GLOBAL ID：200903016982308355
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992294094
Publication number (International publication number)：1994151829
Application date： Nov. 02, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 抵抗加熱炉で形成されたシリコン窒化酸化膜を絶縁膜として用い、その膜上にゲート電極を形成する半導体装置において、ポリシリコン膜からゲート絶縁膜を介してボロンがシリコン基板中に拡散する、いわゆるボロンの突き抜けを防止する。【構成】 シリコン窒化酸化膜、またはシリコン窒化酸化膜とシリコン基板との界面に窒素原子をイオン注入する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に抵抗加熱炉で形成されたシリコン窒化酸化膜をゲート絶縁膜として用い、当該膜上にゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、シリコン窒化酸化膜、またはシリコン窒化酸化膜とシリコン基板との界面に窒素原子をイオン注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/784
, H01L 21/265
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/265 P
, H01L 29/78 301 P
