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J-GLOBAL ID：200903016999210413

無電解めっき方法及び回路基板の製造方法

Inventor：
三森 健一

About 三森 健一


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (2)： 志賀 正武 ,  棚井 澄雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005115526
Publication number (International publication number)：2006291315
Application date： Apr. 13, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：
【課題】 樹脂基材の表面に密着性に優れた無電解めっき被膜を形成する。【解決手段】 樹脂基板1の表面に電子線を照射し、当該樹脂基板1の表面にラジカルを発生させる電子線照射工程と、ラジカルが発生した樹脂基基板1の表面に二重結合を持つモノマーをグラフト重合させ、当該樹脂基板1の表面にグラフト重合鎖4を形成するグラフト重合工程と、グラフト重合鎖4にイオン交換基5を導入するイオン交換基導入工程と、イオン交換基5に触媒6を付与する触媒付与工程と、樹脂基板1の触媒6が付与された部分に無電解めっき被膜7を形成するめっき処理工程とを含む。【選択図】 図7
Claim (excerpt)：
樹脂基材の表面に電子線を照射し、当該樹脂基材の表面にラジカルを発生させる電子線照射工程と、 前記ラジカルが発生した樹脂基材の表面に二重結合を持つモノマーをグラフト重合させ、当該樹脂基材の表面にグラフト重合鎖を形成するグラフト重合工程と、 前記グラフト重合鎖にイオン交換基を導入するイオン交換基導入工程と、 前記イオン交換基に触媒を付与する触媒付与工程と、 前記樹脂基材の前記触媒が付与された部分に無電解めっき被膜を形成するめっき処理工程とを含む無電解めっき方法。
IPC (4)：
C23C 18/30 ,  C23C 18/20 ,  C23C 18/31 ,  H05K 3/18
FI (5)：
C23C18/30 ,  C23C18/20 A ,  C23C18/31 Z ,  H05K3/18 B ,  H05K3/18 E
F-Term (26)：
4K022AA15 ,  4K022AA18 ,  4K022AA19 ,  4K022AA42 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022CA12 ,  4K022CA18 ,  4K022CA21 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  5E343AA12 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343EE32 ,  5E343EE37 ,  5E343ER04 ,  5E343GG08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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