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J-GLOBAL ID：200903017000032684

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
田巻 勉

About 田巻 勉

, 
成毛 清実

About 成毛 清実


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994037687
Publication number (International publication number)：1995226446
Application date： Feb. 12, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 チャネル幅を正確に制御することによりチャネルコンダクタンスを変えることの出来る半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板と、前記半導体基板主面に形成された第2導電型のソース/ドレイン領域4と、前記半導体基板主面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ソース/ドレイン領域上及びこのソース/ドレイン領域間の上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極3と、前記ゲート電極のセルフアライメントによるイオン注入及び熱拡散により形成され、前記ゲート電極下の前記ソース/ドレイン領域間に形成されているチャネル領域10を間に挟む少なくとも一方に前記半導体基板の不純物濃度より高濃度の不純物濃度を有する第1導電型不純物拡散領域9とを備え、前記第1導電型不純物拡散領域は、前記チャネル領域のチャネル幅を制限する。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板主面に形成された第2導電型のソース/ドレイン領域と、前記半導体基板主面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ソース/ドレイン領域上及びこのソース/ドレイン領域間の上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極のセルフアライメントによるイオン注入及び熱拡散により形成され、前記ゲート電極下の前記ソース/ドレイン領域間に形成されているチャネル領域を間に挟む少なくとも一方に前記半導体基板の不純物濃度より高濃度の不純物濃度を有する第1導電型不純物拡散領域とを備え、前記第1導電型不純物拡散領域は、前記チャネル領域のチャネル幅を制限することを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  G11C 11/56 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78
FI (5)：
H01L 27/10 433 ,  G11C 11/34 381 A ,  H01L 21/265 W ,  H01L 27/04 G ,  H01L 29/78 301 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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