ドライエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992307327
Publication number (International publication number)：1994163474
Application date： Nov. 17, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 SiO2 等のシリコン化合物層のドライエッチングにおいて、高速性,高選択性,低ダメージ性, 低汚染性を達成する。【構成】 C3 O2 (二酸化三炭素)/SF6 混合ガスを用いてSiO2 層間絶縁膜3をエッチングする。レジスト・マスク4の分解生成物に由来する炭素系ポリマーがC3 O2 に由来するC-O結合やカルボニル基等を取り込み、少ない堆積量でも高いエッチング耐性を示すようになる。この結果、レジスト・マスク4をスパッタするための入射イオン・エネルギーを低減でき、選択性が向上する。C3 O2 をCHF3 と併用すればプロセスを高速化できる。S2 F2 と併用すれば、炭素系ポリマーの代わりに遊離のS(イオウ)を堆積物として利用できるようになり、プロセスを低汚染化できる。C3 O2 の他、N2 O,SO2 等も使用できる。

Claim (excerpt)：

酸化炭素、酸化窒素、酸化イオウから選ばれる少なくとも1種類の無機酸化物と、フッ素系化合物とを含むエッチング・ガスを用いてシリコン化合物層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 , C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-084427
特開昭58-084113
特開昭57-049236

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