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J-GLOBAL ID：200903017026329642

磁気トンネル素子の作製方法及びその方法で作製した素子

Inventor： 小金井 昭雄
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001204695
Publication number (International publication number)：2003023190
Application date： Jul. 05, 2001
Publication date： Jan. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ改質プロセスにより良好な磁気トンネル膜を作製し、コストパフォーマンスと生産性の高い磁気トンネル素子の作製方法及びその方法で作製した素子を提供する。【解決手段】 2つの強磁性層とその間に位置する非磁性層からなる磁気トンネル素子の作製方法において、第1の強磁性層の上に非磁性層を積層した後に20MHz以上の超短波プラズマによって非磁性層を改質することを特徴とする。非磁性層を改質するプロセスは酸化であり、改質前の非磁性層は金属膜であつても絶縁膜であっても良い。超短波は20-300MHzの範囲にあることが望ましい。

Claim (excerpt)：

2つの強磁性層とその間に位置する非磁性層からなる磁気トンネル素子の作製方法において、第1の強磁性層の上に非磁性層を積層した後に20MHz以上の超短波プラズマによって非磁性層を改質することを特徴とする磁気トンネル素子の作製方法。

IPC (5)：

H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08

FI (5)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

F-Term (11)：

2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA04 ,  5D034DA07 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC08