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J-GLOBAL ID：200903017031239015

シリコンベースショットキ障壁赤外線光検出器

Inventor： パテル,ヴィプルクマー ,  ギロン,マーガレット ,  ゴートスカー,プラカシュ ,  モンゴメリー,ロバート,キース ,  パサク,ソハム ,  ピエド,デービット ,  シャスリ,カルペンドゥ ,  ヤヌシェフスキ,キャサリン,エー.
Applicant, Patent owner： シオプティカル インコーポレーテッド ,  パテル, ヴィプルクマー ,  ギロン, マーガレット ,  ゴートスカー,プラカシュ ,  モンゴメリー, ロバート, キース ,  パサク, ソハム ,  ピエド,デービット ,  シャスリ, カルペンドゥ ,  ヤヌシェフスキ, キャサリン, エー.
Agent (1)： 柏原 三枝子
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006541343
Publication number (International publication number)：2007512712
Application date： Nov. 17, 2004
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】【解決手段】シリコン-オン-インシュレータ(SOI)構造の平面シリコン表面層(所謂「平面SOI層」)内に形成された光導波管の一部の上に金属ストリップ(好ましくは、シリサイド)を配置することによって、SOI構造内にシリコンベースIR光検出器を形成する。前記平面SOI層は、1ミクロン未満の厚さを具える。前記SOIベース構造に関連する比較的低暗電流と比較的小さい表面領域のシリサイドストリップを使用して光電流を集める能力によって光検出器を室温で動作させることが出来る。平面SOI層を、ドープし、前記シリサイドストリップのジオメトリを所望するように変更して、従来のシリコンベースの光検出器を越えた改善された結果を達成する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

ショットキ障壁、すなわち、光学導波管でシリコン・オン・インシュレータ(SOI)プラットフォームと一体化したシリコンベースの赤外線光検出器を具えるモノリシック構成において、前記モノリシック構成が、 平面SOI表面層を有するSOI構造であって、前記平面SOI表面層が、1ミクロン未満の厚さであり、光学信号の送信をサポートするために前記光学導波管の少なくとも一部を形成するSOI構造と; 前記光学導波管内部の伝播の方向に沿って、前記平面SOI層の一部の上に配置された金属ストリップであって、前記金属ストリップが、前記光学導波管でショットキ障壁を形成する金属ストリップと; 前記平面SOI層に構成した第1の抵抗オーム接点と; 前記金属ストリップに構成した第2の抵抗オーム接点と;を具え、前記第1及び第2抵抗オーム接点の間のバイアス電圧の印加が、前記光学信号が前記光学導波管に沿って伝播するときに、前記金属ストリップにあたる前記光学信号の一部の機能としてシリサイドから光電流出力を発生することを特徴とするモノリシック構成。

IPC (1)：

H01L 31/108

FI (1)：

H01L31/10 C

F-Term (5)：

5F049MA05 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049QA08 ,  5F049WA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-292430   Applicant：株式会社東芝