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J-GLOBAL ID：200903017036834965

半導体装置の製造方法

Inventor： 小島 明 ,  川平 博一 ,  野澤 悟
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000381697
Publication number (International publication number)：2001203160
Application date： Jul. 29, 1991
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体装置製造用露光用マスクの基板面に遮光膜を形成する場合に生ずる反りによる露光のパターンずれの問題を容易に解決した半導体装置の製造方法を提供する。【手段】基板10のパターンが形成されている側の面の面上の周辺部に枠状の遮光膜2を有し、該周辺部の枠状の遮光膜をスリット3によって分割したことにより、該遮光膜を四角形の遮光膜部分に区画してなる露光用マスクを用いてパターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板のパターンが形成されている側の面の面上の周辺部に枠状の遮光膜を有するとともに、前記周辺部の枠状の遮光膜をスリットによって分割したことにより、該遮光膜を四角形の遮光膜部分に区画してなる露光用マスクを用いてパターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (3)：

G03F 1/08 G ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 515 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平1-173718
  
• 特開平3-095554
  
• 特開昭58-091635