半導体加速度センサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平木道人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994185205
Publication number (International publication number)：1996029446
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】たわみ部および支持枠間の形状変化部での応力集中を緩和してS/N比を向上させる。【構成】たわみ部12は全体に厚さを一様にし、該たわみ部12は、マス121とマス121よりも幅の狭い狭小部122とからなる。そして、狭小部122の幅を支持枠11側で大きくして形状変化部つまり根元部123での応力集中を緩和した。さらに、検知素子19は前記形状変化部123から距離OSだけマス121側にずらせた。この構成により、形状変化部123では検知素子19で検出される最大公称応力よりも応力を大幅に低減できる。したがって、応力集中を考慮しても、前記最大公称応力以下で、たわみ部122が根元部123で破損することはない。その結果、最大公称応力を大きく設定でき、S/N比を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

厚さを一様にした前記たわみ部と、該たわみ部を取り囲み、該たわみ部よりも厚いたわみ部支持枠とからなり、前記たわみ部には該たわみ部を前記支持枠と一体化するための狭小部を設け、かつ該狭小部は前記支持枠との境界部で幅広に形成するとともに、前記境界部から偏った前記狭小部の予定位置に応力検知部を設けたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/02 , G01P 15/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

特開平4-258175
特開平4-258175
特開平2-062967

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