不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：則近憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992109776
Publication number (International publication number)：1993304300
Application date： Apr. 28, 1992
Publication date： Nov. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】デ-タ書込みと消去動作の繰り返し試験での特性とトランジスタの信頼性の向上したEEPROMを提供する。【構成】ソ-ス領域102及びドレイン領域103と端部がそれぞれ重なってチャネル領域104上に形成された第一のゲ-ト絶縁膜105は、チャンネル領域104上面に形成された第三の絶縁膜部分111と、少なくともソ-ス領域102と浮遊ゲ-ト電極106との重なり部分に形成された第四の絶縁膜部分112とから構成されている。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板表面に間隔をおいて形成された逆導電型のソ-ス領域及びドレイン領域と、前記ソ-ス領域及びドレイン領域の間に形成されるチャネル領域と、前記ソ-ス領域及びドレイン領域と端部がそれぞれ重なって前記チャネル領域上に形成された浮遊ゲ-ト電極と、前記浮遊ゲ-ト電極と前記チャネル領域上面との間に形成された第一のゲ-ト絶縁膜と、前記浮遊ゲ-ト電極上に第二のゲ-ト絶縁膜を介して形成された制御ゲ-ト電極と、前記ゲ-ト電極及び前記絶縁膜の周囲に形成された保護膜とを具備し、前記第一のゲ-ト絶縁膜は、前記チャネル領域上面に形成された第三の絶縁膜部分と、少なくとも前記ソ-ス領域と前記浮遊ゲ-ト電極との重なり部分に形成された第四の絶縁膜部分とで構成され、かつ、前記第三の絶縁膜部分はSi(シリコン)、O(酸素)を含む絶縁膜から成り、前記第四の絶縁膜はN(窒素)を含む絶縁膜を少なくとも有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/04

FI (2)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭54-144884
特開昭62-154787

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