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J-GLOBAL ID：200903017056459230
ヘテロバイポーラトランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996338703
Publication number (International publication number)：1998178021
Application date： Dec. 18, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：
【要約】【課題】 HBTの特性に悪影響を与えることなく、かつ制御性よくガードリングを形成することが可能なHBTを提供する。【解決手段】 支持基板上にコレクタ層、ベース層、エミッタ層がこの順番に積層されている。エミッタ層の上にメサ形状を有するエミッタメサが形成されている。ベース層のうちエミッタメサの形成されている領域とは異なる領域上に、ベース層とオーミック接触するベース電極が形成されている。ベース層のうち、エミッタメサとベース電極との間の領域上に、エミッタ層と同時に堆積されたガードリングが形成されている。エミッタメサの側面のうち、エミッタ層側の端部近傍を除く領域上にサイドウォール絶縁層が形成されている。サイドウォール絶縁層の下端とガードリングとの間に間隙が画定されている。
Claim (excerpt)：
支持基板と、前記支持基板上に形成され、III-V族化合物半導体からなるコレクタ層と、前記コレクタ層の上に形成され、III-V族化合物半導体からなるベース層と、前記ベース層の上に形成され、該ベース層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有するIII-V族化合物半導体からなるエミッタ層と、前記エミッタ層の上にIII-V族化合物半導体により形成され、メサ形状を有するエミッタメサと、前記ベース層のうち前記エミッタメサの形成されている領域とは異なる領域上に形成され、前記ベース層とオーミック接触するベース電極と、前記ベース層のうち、前記エミッタメサと前記ベース電極との間の領域上に、前記エミッタ層と同時に堆積された層により形成されたガードリングと、前記エミッタメサの側面のうち、前記エミッタ層側の端部近傍を除く領域上に形成されたサイドウォール絶縁膜であって、該サイドウォール絶縁膜の下端と前記ガードリングとの間に間隙を画定する前記サイドウォール絶縁膜とを有するヘテロバイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
