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J-GLOBAL ID：200903017071035315

半導体装置

Inventor： 北村 富士夫 ,  桑村 誠 ,  中谷 洋幸
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992142110
Publication number (International publication number)：1993315473
Application date： May. 06, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型フェノール樹脂と、下記の一般式(1)で表されるシラン化合物と、炭素数10以上の高級脂肪酸とを予備反応させることにより得られる反応生成物。【化1】(C)無機質充填剤。【効果】 リードフレームとの接着性に優れており、リードフレームと封止樹脂との界面への水分の浸入が抑制され、優れた耐湿信頼性を備えており、高温高湿雰囲気下で使用しても高い信頼性を有している。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型フェノール樹脂と、下記の一般式(1)で表されるシラン化合物と、炭素数10以上の高級脂肪酸とを予備反応させることにより得られる反応生成物。【化1】(C)無機質充填剤。

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/40 NJJ ,  C08G 59/62 NJS ,  H01L 23/50