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J-GLOBAL ID：200903017071981776

半導体膜の製造方法および液晶表示装置

Inventor： 矢野 健作
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 樺澤 襄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998006626
Publication number (International publication number)：1999204433
Application date： Jan. 16, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 略均一な表面のポリシリコン膜を得る半導体膜の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板の上面にあらかじめ窒化珪素および酸化珪素にて構成したアンダーコート層6およびアモルファスシリコン膜7を順次積層形成して液晶基板8を構成する。液晶基板8を窒素ガスを大気圧で密閉した筐体4内のステージ3上に載置する。ステージ3を超音波振動電源10にて約30MHzの振動数で超音波振動するとともに約10mm/秒の速度で水平方向に往復移動する。レーザ装置13から出射し光学系装置14を介して整形したエキシマレーザ光12を、筐体4の光透過窓11を介して液晶基板8上に矩形状に照射する。アモルファスシリコン膜7は溶融して超音波振動により流動状態となり、照射終了から冷えて多結晶化する。不純物が結晶粒界に偏析せずポリシリコン膜の表面は平坦となる。

Claim (excerpt)：

基板上に被着したアモルファスシリコン膜をレーザアニールしてポリシリコン膜に変化させる際に、基板に超音波振動を与えることを特徴とする半導体膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268

FI (3)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 F