半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997033650
Publication number (International publication number)：1998229086
Application date： Feb. 18, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】エレクトロマイグレーション耐性の高いAl配線を実現すること。【解決手段】Al配線2内にAlに対して拡散障壁となるCuからなる拡散障壁層5を形成し、Al配線2をBlechの臨界長以下の長さの微細Al配線に分断する。

Claim (excerpt)：

第1物質を主成分とする配線を備えた半導体装置であって、前記配線は、前記第1物質に対して拡散障壁となる、第2物質からなる電流が流れる拡散障壁層を有し、かつこの拡散障壁層によって前記配線がBlechの臨界長以下の長さの微細配線に分断されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 21/88 M , H01L 21/28 301 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体素子の金属配線及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-146115 Applicant：沖電気工業株式会社
配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-294311 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-206528

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