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J-GLOBAL ID：200903017074792648
めっき回路形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 祥泰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992248732
Publication number (International publication number)：1994077626
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 レジストマスク及びSn(錫)を用いる必要がなく,電気特性に優れ,かつ基材の種類に制限を受けることがない,めっき回路の形成方法を提供すること。【構成】 基材1の表面に触媒金属錯イオンを含有する触媒処理液2を付着させ,次いでパターンマスク3を用いて光照射して,光照射部分25の触媒活性を失活させる。その後基材を無電解めっき浴5中に入れ,光未照射部分26にNi等のめっき回路を形成させる。上記触媒処理液2は,触媒金属のイオンを錯化可能なカルボン酸基のみを有する錯化剤を含有し,PHは1〜6とする。上記錯化剤としては,フタル酸,安息香酸などがある。
Claim (excerpt)：
基材の表面に,触媒金属錯イオンを含有する触媒処理液を付着させ,次いで形成すべき回路パターンを有するパターンマスクを用いて基材表面に光を照射して,光照射部分の触媒活性を失活させ,その後基材を無電解めっき浴中に浸漬して光が照射されていない未照射部分にめっき回路を形成する方法であって,上記触媒処理液は,触媒金属のイオンを錯化可能なカルボン酸基のみを有する錯化剤を含有していると共にPHが1〜6であることを特徴とするめっき回路形成方法。
IPC (2)：
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