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J-GLOBAL ID：200903017080013316

ドライエッチング方法

Inventor： 西尾 幹夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993025912
Publication number (International publication number)：1994244153
Application date： Feb. 16, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明はBやPを含まないシリコン酸化膜に対して選択的にBPSG膜をドライエッチングすることを目的とする。【構成】CGF3 とCF4 とCOの混合ガスを用いてBPSG膜7をエッチングすることにより、混合ガス中のCGF3 およびCF4 との反応により発生するCを上記半導体基板のエッチング側壁に堆積させるとともに、前記反応により発生するOを上記混合ガス中のCOと反応させてCO2 を生成させ、前記CO2 を上記反応室の外部へ排出することにより、シリコン酸化膜に対して選択的にBPSG膜7をエッチングできるドライエッチングを提供できる。【効果】自己整合コンタクト形成やBPSG膜の膜厚バラツキを吸収できるプロセスが可能である。

Claim (excerpt)：

反応室内に載置された半導体基板表面に形成されているBPSG膜に対して選択的にドライエッチングを行うドライエッチング方法であって、上記反応室内にCHF3 とCF4 とCOとの混合ガスを供給して上記BPSG膜に対して選択的にドライエッチングを行い、上記ドライエッチング時に、上記BPSG膜と上記混合ガス中のCHF3 およびCF4 との反応により発生するCを上記半導体基板のエッチング側壁に堆積させるとともに、上記反応により発生するOを上記混合ガス中のCOと反応させてCO2 を生成させ、上記CO2 を上記反応室の外部へ排出することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00