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J-GLOBAL ID:200903017083972640
薄膜エレクトロルミネセンス素子のシール形成方法及びエレクトロルミネセンス素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上野 英夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996149655
Publication number (International publication number):1997017572
Application date: Jun. 12, 1996
Publication date: Jan. 17, 1997
Summary:
【要約】【課題】薄膜エレクトロルミネセンス素子のシールを廉価で簡単に形成する。【解決手段】薄膜エレクトロルミネセンス素子を基板上に設け、集積回路製造法を利用して、前記薄膜エレクトロルミネセンス素子の上部表面と少なくとも1つのエッジに一体化カプセル封じ薄層(26、28)を形成する。
Claim (excerpt):
薄膜エレクトロルミネセンス素子のシール形成方法であって、活性半導体層を含む複数の層からなり、第1の表面を備えた薄膜エレクトロルミネセンス素子を設けるステップと、集積回路製造法を利用して、前記薄膜エレクトロルミネセンス素子の前記第1の表面及び少なくとも1つのエッジに一体化カプセル封じ薄層を形成することを含めて、前記薄膜エレクトロルミネセンス素子にカプセル封じを施し、前記活性半導体層が、集積回路製造法を用いて形成される前記カプセル封じ薄層によって周囲の雰囲気からシールされるようにするステップから構成される、方法。
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