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J-GLOBAL ID：200903017095103850
位相推移フォトマスクの位相推移体の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
市之瀬 宮夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992070246
Publication number (International publication number)：1993232683
Application date： Feb. 20, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 異物あるいはピンホールを内容とする欠陥の非常に少ない位相推移フォトマスクの位相推移体の形成方法を提供する。【構成】 基材1上に、蒸着、スパッタリング等の薄膜形成手段による二酸化けい素膜の形成及び該二酸化けい素膜表面の洗浄を複数回繰り返して二酸化けい素膜2〜5を形成した後、さらにその上に前記と同様の薄膜形成手段によって二酸化けい素膜6を形成し、しかる後に該二酸化けい素膜6の表面を研摩して最終的に所定の厚さの二酸化けい素膜を得る。
Claim (excerpt)：
基材上に、蒸着、スパッタリング等の薄膜形成手段による位相推移層の形成及び該位相推移層表面の洗浄を少なくとも1回行なった後、さらにその上に前記薄膜形成手段により位相推移層を形成し、しかる後に該位相推移層表面を研摩することにより最終的に所定の厚さの位相推移層を得ることを特徴とする位相推移フォトマスクの位相推移体の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
