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J-GLOBAL ID：200903017106399633

ダイヤモンド薄膜形成法

Inventor： 森本 信吾 ,  小柳 直樹 ,  小畑 龍夫 ,  青山 昇
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社 ,  オグラ宝石精機工業株式会社
Agent (1)： 寺田 實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992328239
Publication number (International publication number)：1993311442
Application date： Dec. 08, 1992
Publication date： Nov. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 CVDダイヤモンド析出層の基材への強い接着力を持たせる方法を提供する。【構成】 析出させる基材上に所定寸法の溝を設けた後、ダイヤモンド薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

気相合成法にてダイヤモンド薄膜を形成させる方法において、幅5〜200μm、深さ5〜200μmの溝をピッチ10〜500μmで刻んだ基材上に形成させることを特徴とする方法。

IPC (3)：

C23C 16/02 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04