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J-GLOBAL ID：200903017107603412

低出力、低雑音および高出力の応用に適したマイクロ波ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ、およびその製造方法

Inventor： バーハン ベイラクタログル
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992247083
Publication number (International publication number)：1994021083
Application date： Jul. 31, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低出力、低雑音の応用にも高出力の応用にも適したマイクロ波ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ、複数のそのようなトランジスタを含む単結晶マイクロ波集積回路、およびそれらの製造方法を提供する。【構成】 ベースが半導体材料の単数または複数の島から成っており、それらの島は、トランジスタの活性領域のいかなる境界とも交叉しないように形成される。

Claim (excerpt)：

エミッタ・ベースおよびコレクタを有する、低出力、低雑音および高出力の応用に適したマイクロ波ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタにおいて、上記ベースが半導体材料の少なくとも一つの島であり、上記島が上記トランジスタの活性領域のいかなる境界とも交叉しないトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-001128
  
• 特開昭63-157467
  
• 特開平2-001128
  
• 特開昭63-157467