ECRプラズマCVD法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992146069
Publication number (International publication number)：1993339735
Application date： Jun. 08, 1992
Publication date： Dec. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】チタンナイトライド膜の成膜においてパーティクル数を低減するECRプラズマCVD法を得る。【構成】チタンナイトライド(TiN)のECRプラズマCVDに用いるガスを、炭素(C)やイオウ(S)を含まないガスとし、且つ塩素を含むNCl3などのガスを用いる。プラズマ中で遊離されるNラジカルはN2として排気され、Clラジカルは余分なTiやTiN膜をクリーニングして、パーティクル数を低減することが可能となる。

Claim (excerpt)：

少なくともイオウ(S)または炭素(C)を構成成分として含まず、塩素(Cl)を構成成分として含む原料ガスをプラズマCVD室に供給し、プラズマにより該プラズマCVD室に付着した堆積物を除去することを特徴とするECRプラズマCVD法。

IPC (3)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平4-110469
特開昭57-049234
特開平1-159378

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Cited by examiner (6)

特開平4-110469
特開平4-110469
特開昭57-049234

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