Pat

J-GLOBAL ID：200903017114650736

有機絶縁樹脂層の加工方法

Inventor： 千葉 みどり
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社
Agent (1)： 金山 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999043139
Publication number (International publication number)：2000243741
Application date： Feb. 22, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 プラズマエッチング加工方法による樹脂加工を行う際に感光性レジストを耐エッチングマスクとして用いる場合において、耐エッチングマスクである、レジストパターン幅の制御を確実に行うことができる方法を提供し、精度の良い樹脂加工を可能とする。【解決手段】 所定形状のレジスト層を耐エッチングマスクとして、反応性ガスを用いたプラズマエッチングにて、有機絶縁樹脂層を加工する方法であって、アクリル系のレジストを用い、フォトリソ法で、前記所定形状のレジスト層を形成するもので、アルカリ現像処理にて、あるいは現像処理後に中性アルカリ金属塩水溶液中で含浸処理を行い、少なくとも前記所定形状のレジスト層の表面部にアルカリ金属を充分に含浸させた後に、ハロゲン化炭化水素と酸素(02 )との混合ガスからなる反応性ガスにてプラズマエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

所定形状のレジスト層を耐エッチングマスクとして、反応性ガスを用いたプラズマエッチングにて、有機絶縁樹脂層を加工する方法であって、アクリル系のレジストを用い、フォトリソ法で、前記所定形状のレジスト層を形成するもので、アルカリ現像処理にて、あるいは現像処理後に中性アルカリ金属塩水溶液中で含浸処理を行い、少なくとも前記所定形状のレジスト層の表面部にアルカリ金属を充分に含浸させた後に、ハロゲン化炭化水素と酸素(02 )との混合ガスからなる反応性ガスにてプラズマエッチングを行うことを特徴とする有機絶縁樹脂層の加工方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C08J 7/00 306 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/00

FI (4)：

H01L 21/302 J ,  C08J 7/00 306 ,  H05K 3/00 K ,  H01L 23/12 Z

F-Term (38)：

4F073AA06 ,  4F073BA07 ,  4F073BA18 ,  4F073BA19 ,  4F073BA22 ,  4F073BA23 ,  4F073BA26 ,  4F073BA28 ,  4F073BA29 ,  4F073BA31 ,  4F073BA33 ,  4F073BB01 ,  4F073CA01 ,  4F073CA41 ,  4F073CA45 ,  4F073CA62 ,  4F073CA67 ,  4F073DA05 ,  4F073EA01 ,  4F073EA42 ,  4F073EA43 ,  4F073EA53 ,  4F073EA55 ,  4F073EA56 ,  5F004AA02 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004DB24 ,  5F004DB25 ,  5F004EB08