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J-GLOBAL ID：200903017128202175

半導体装置

Inventor： 北村 富士夫 ,  長沢 徳 ,  五十嵐 一雅
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991299645
Publication number (International publication number)：1993036867
Application date： Oct. 18, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 優れた耐湿信頼性を備えた半導体装置の提供を目的とする。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)下記の一般式(1)で表され、重量平均分子量が300〜800で、かつ上記重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.0〜1.5であるエポキシ樹脂。【化1】(B)硬化剤。(C)無機質充填剤。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表され、重量平均分子量が300〜800で、かつ上記重量平均分子量(Mw)と数平均分子量(Mn)との比(Mw/Mn)が1.0〜1.5であるエポキシ樹脂。【化1】(B)硬化剤。(C)無機質充填剤。

IPC (3)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/24 NHQ