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J-GLOBAL ID：200903017128570751

絶縁膜形成方法

Inventor： 池田 浩一 ,  前田 正彦
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995058677
Publication number (International publication number)：1996255794
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 段差被覆性の優れた状態で、電気容量の低い絶縁膜を、安定して形成できるようにすることを目的とする。【構成】 基板1の温度を400°Cとし、ガス導入管3aにより酸素7.5リットル/分、ガス導入管3bにより窒素キャリアガス18リットル/分,ガス導入管3cより導入する。ガス導入管3aにより導入される酸素は、その1〜5%がオゾンとなっている。そして、温度65°CとしたTEOSを1リットル/分のキャリアガスでバブリングして得たTEOSガスをガス導入管3cより導入し、常温のHFIPを1リットル/分のキャリアガスでバブリングして得たHFIPガスをガス導入管3dより導入する。

Claim (excerpt)：

アルコキシシランとオゾンと酸素とを反応ガスとして用いるCVD法によるシリコン酸化膜形成において、その成膜反応系にフッ素を含む有機物を添加することを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C01B 33/12 ,  C23C 16/40

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  C01B 33/12 C ,  C23C 16/40