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J-GLOBAL ID：200903017142154183

パターン形成方法

Inventor： 酒井 伊都子 ,  早坂 伸夫 ,  岡野 晴雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991159164
Publication number (International publication number)：1993013319
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微細パターンを高精度かつ高効率に形成することを目的とする。【構成】 被パターニング材料16の全面上に薄膜のカ-ボン膜17を被着する工程と、活性化した酸素ガス雰囲気中においてカ-ボン膜17表面の所定部分に荷電粒子ビーム1を照射することにより、カ-ボン膜17の荷電粒子ビーム1が照射された部分のエッチングを促進し、カ-ボン膜17をパターニングする工程と、パターニングされたカ-ボン膜17をマスクとして、RIE法により方向性エッチングを行い、被パターニング材料16にカ-ボン膜17のパターンを転写する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

被パターニング材料上にカ-ボン膜を形成する工程と、活性化した酸素ガス雰囲気中において上記カ-ボン膜表面の所定部分に荷電粒子ビームを照射することにより、上記カ-ボン膜の上記荷電粒子ビームが照射された部分をエッチングし、上記カ-ボン膜をパターニングする工程と、上記パターニングされた上記カ-ボン膜をマスクとして方向性エッチングを行い、上記被パターニング材料に上記カ-ボン膜のパターンを転写する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/302

FI (2)：

H01L 21/30 341 S ,  H01L 21/30 341 Z