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J-GLOBAL ID：200903017147133540

電子放出素子の製造方法

Inventor： 菅野 亨 ,  森下 啓子 ,  金子 彰
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992042552
Publication number (International publication number)：1993242796
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電子放出特性の良好な電子放出素子を容易に製造することができるようにした製造方法を提供する。【構成】 ガラス等から成る基板11の上にシリコンから成る円錐状のエミッタ14と、その近傍で絶縁層15とその上のゲート電極16を形成する。エミッタ14の表面にその上方から炭素イオン17をイオン注入法により注入した後、300°C〜1200°Cの温度で数時間アニールすることにより、エミッタ14の表面を仕事関数の低いSiC層に変える。

Claim (excerpt)：

エミッタ表面に仕事関数の低い元素を導入する電子放出素子の製造方法。

IPC (3)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30 ,  H01L 49/00