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J-GLOBAL ID：200903017195023595

半導体微小構造体及びその製造方法

Inventor： 齋藤 徹 ,  川島 孝啓 ,  高木 剛
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 奥田 誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004328059
Publication number (International publication number)：2006140293
Application date： Nov. 11, 2004
Publication date： Jun. 01, 2006
Summary：

【課題】結晶欠陥準位が少なく、優れた半導体特性を有する微小構造体の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶半導体からなる微小構造体の製造方法であって、支持体101上に前記単結晶半導体に対して第1導電形のドーパントとなる第1のドーパント元素を含む第1の触媒微粒子130を形成する工程(a)と、前記単結晶半導体を構成する元素を含む原料ガスを前記支持体表面近傍に導入し、前記第1の触媒微粒子により前記原料ガスを分解し、第1の微小構造体111を形成するように前記第1のドーパント元素を含む単結晶半導体を成長させる工程(b)とを包含する微小構造体の製造方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

単結晶半導体からなる微小構造体の製造方法であって、 支持体上に単結晶半導体に対して第1導電形のドーパントとなる第1のドーパント元素のみからなるまたは前記第1のドーパント元素を含む第1の触媒微粒子を形成する工程(a)と、 前記単結晶半導体を構成する元素を含む原料ガスを前記支持体表面近傍に導入し、前記第1の触媒微粒子により前記原料ガスを分解し、第1の微小構造体を形成するように前記第1のドーパント元素を含む単結晶半導体を成長させる工程(b)と、 を包含する微小構造体の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 618A

F-Term (30)：

5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB09 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045CA01 ,  5F045CA05 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F052JA04 ,  5F052KA08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110HJ01 ,  5F110PP34