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J-GLOBAL ID：200903017203465152

高電子移動度トランジスタ

Inventor： 藤田 忍 ,  芦沢 康夫 ,  野田 隆夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992128967
Publication number (International publication number)：1993160161
Application date： May. 21, 1992
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】ゲート耐圧が高く、特性のばらつきが小さいInAlAs/InGaAs系材料を用いたHEMTを提供することを目的とする。【構成】半絶縁性InP基板1上にバッファ層2を介して形成されたInGaAsチャネル層3と、このチャネル層3上にスペーサ層4を介して形成されたn型のInAlAs電子供給層4とを有し、電子供給層4上にInGaAlPショットキーコンタクト層6が形成されて、これにショットキーゲート電極8が形成され、ショットキーゲート電極8を挟んでショットキーコンタクト層6上に、InGaAsオーミックコンタクト層7を介してソース、ドレイン電極9、10が形成された構造を有する。

Claim (excerpt)：

チャネル層、スペーサ層、及びn型の電子供給層を含む主構造部と、前記チャネル層は前記スペーサ層の一方の面側に形成され、前記電子供給層は前記スペーサ層の他方の面側に形成されることと、前記主構造部を支持する半絶縁性半導体基板と、前記主構造部上に形成されたショットキーコンタクト層と、前記ショットキーコンタクト層上に形成されたショットキーゲート電極と、前記ショットキーゲート電極を挟んで前記ショットキーコンタクト層上に形成された第1及び第2オーミックコンタクト層と、前記第1オーミックコンタクト層上に形成された第1オーミック電極と、前記第2オーミックコンタクト層上に形成された第2オーミック電極と、を具備し、前記電子供給層はIn<SB>m </SB>Al<SB>n </SB>As(ここで、m+n=1、0<m、0<n)からなり、前記ショットキーコンタクト層はIn<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>P(ここで、x+y+z=1、0≦x≦0.9、0≦z≦0.5)からなることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H