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J-GLOBAL ID：200903017206239749

エッチングガス

Inventor： 毛利 勇 ,  大橋 満也 ,  田村 哲也 ,  川島 忠幸
Applicant, Patent owner： セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998351000
Publication number (International publication number)：2000174002
Application date： Dec. 10, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 LSI、TFTなどに代表される薄膜デバイス製造用途に適したエッチングガスを提供する。【解決手段】 基板の上に堆積した膜の所定の部分を除去するための、SF5OFからなるガスを含有したエッチングガスで、さらにSF5OFからなるガスと水素または水素含有化合物ガスとを含有し、または、SF5OFからなるガスと酸素または酸素含有化合物ガスとを含有したエッチングガス。

Claim (excerpt)：

基板の上に堆積した膜の所定の部分を除去するための、SF5OFからなるガスを含有したエッチングガス。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E

F-Term (25)：

4K057DA20 ,  4K057DB01 ,  4K057DD01 ,  4K057DD03 ,  4K057DD05 ,  4K057DE06 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  5F004BA14 ,  5F004BB13 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA28 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13