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J-GLOBAL ID：200903017211065724

半導体ダイオード

Inventor： 三井 昌仁
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992330329
Publication number (International publication number)：1994177404
Application date： Dec. 10, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 逆方向バイアス時のリーク電流を少なく、且つ順方向バイアス時の電圧降下を小さくした、整流効率の良好な半導体ダイオードの構造を提供する。【構成】 n形半導体基板の表面に、n形の拡散層を形成し、これを囲むように、p形の拡散層4を形成し、前記n形拡散層とp形拡散層4とを同一のアノード電極3にてオーミック接触させて、これらに同電位を印加し得る構成とし、前記半導体基板1の裏面にカソード電極12をオーミック接触させて、電界効果型のダイオードを形成する。p形拡散層4を形成するに当たっては、前記カソード12・アノード3間に電圧が印加されていない状態で、空乏層4a,4aが、アノード電極3とカソード電極12との間の電流経路を遮断するように、その濃度を決定した。

Claim (excerpt)：

第1の導電形の半導体基体の表面に、第1導電形の不純物が高濃度に導入された第1の拡散層が形成され、該第1の拡散層を囲むように第2の導電形の第2の拡散層が形成され、前記第1の拡散層及び第2の拡散層の表面には同一のアノード電極が、又、上記半導体基体の裏面にはカソード電極が夫々オーミック接触され、第2の拡散層はアノード・カソード間に電圧が印加されていない状態で、空乏層がアノード電極とカソード電極との間の電流経路を遮断するようにその濃度が設定されてなることを特徴とする電界効果型半導体ダイオード。