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J-GLOBAL ID：200903017213306940

化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法

Inventor： 平野 博之
Applicant, Patent owner： 東洋炭素株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994340994
Publication number (International publication number)：1996188468
Application date： Dec. 29, 1994
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、き裂や反りを抑えた、均質なCVD-SiC成形体及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、3層以上の炭化ケイ素層の積層体から成り、且つ各炭化ケイ素層の厚みが100μm以下である、化学蒸着法による炭化ケイ素成形体である。また、その製造方法は、CVD法によりSiC層を形成し、次いで該SiC層の表面を平坦化する工程を複数回繰り返すことにより、各層の厚みが100μm以下のSiC層を所望厚み以上に積層した後、基体を除去することを特徴とする、CVD法によるSiC成形体の製造方法である。

Claim (excerpt)：

3層以上の炭化ケイ素層の積層体から成り、且つ各炭化ケイ素層の厚みが100μm以下である、化学蒸着法による炭化ケイ素成形体。

IPC (6)：

C04B 35/565 ,  B28B 1/30 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501