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J-GLOBAL ID：200903017213742340

内燃機関の吸気制御装置

Inventor：
織田 善康

About 織田 善康


Applicant, Patent owner：
富士通テン株式会社

About 富士通テン株式会社


Agent (1)： 橋本 薫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005139966
Publication number (International publication number)：2006316695
Application date： May. 12, 2005
Publication date： Nov. 24, 2006
Summary：
【課題】 吸気流量学習手段による吸気流量学習値とデポジット損失補正流量を調和させ、早期に安定したアイドル運転状態に制御できる内燃機関の吸気制御装置を提供する。 【解決手段】 検出吸気流量が目標吸気流量となるように調整する吸気流量制御手段と、アイドル運転時の検出アイドル回転速度が目標アイドル回転速度に収束するように目標吸気流量を調節する吸気流量フィードバック制御手段と、所定の学習条件が成立しているときに前記吸気流量フィードバック制御手段による目標吸気流量の補正量を吸気流量学習値として学習しその値に基づいて学習前の目標吸気流量を更新する吸気流量学習手段とを備えてなる内燃機関の吸気制御装置であって、吸気通路における吸入空気の損失流量を求める損失流量算出手段と、前記損失流量に基づいて目標吸気流量を増加補正するとともに前記吸気流量学習値を減少補正する損失流量補正手段を備える。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
検出吸気流量が目標吸気流量となるように調整する吸気流量制御手段と、アイドル運転時の検出アイドル回転速度が目標アイドル回転速度に収束するように目標吸気流量を調節する吸気流量フィードバック制御手段と、所定の学習条件が成立しているときに前記吸気流量フィードバック制御手段による目標吸気流量の補正量を吸気流量学習値として学習しその値に基づいて学習前の目標吸気流量を更新する吸気流量学習手段とを備えてなる内燃機関の吸気制御装置であって、 吸気通路における吸入空気の損失流量を求める損失流量算出手段と、前記損失流量に基づいて目標吸気流量を増加補正するとともに前記吸気流量学習値を減少補正する損失流量補正手段を備える内燃機関の吸気制御装置。
IPC (4)：
F02D 41/16 ,  F02D 29/02 ,  F02D 29/04 ,  F02D 45/00
FI (7)：
F02D41/16 D ,  F02D41/16 E ,  F02D29/02 G ,  F02D29/04 C ,  F02D45/00 312C ,  F02D45/00 322B ,  F02D45/00 340D
F-Term (56)：
3G093AA12 ,  3G093CA01 ,  3G093CA03 ,  3G093CA04 ,  3G093DA01 ,  3G093DA05 ,  3G093DA06 ,  3G093DA07 ,  3G093DA09 ,  3G093DA12 ,  3G093DB24 ,  3G093DB25 ,  3G093EA03 ,  3G093EA09 ,  3G093EC02 ,  3G093FA04 ,  3G093FA09 ,  3G093FB02 ,  3G301JA04 ,  3G301JB10 ,  3G301KA01 ,  3G301KA05 ,  3G301KA07 ,  3G301LA03 ,  3G301NA04 ,  3G301NC02 ,  3G301ND02 ,  3G301ND21 ,  3G301NE06 ,  3G301NE23 ,  3G301PA01A ,  3G301PA01Z ,  3G301PE01A ,  3G301PE01Z ,  3G301PE08Z ,  3G301PF03Z ,  3G301PF13Z ,  3G301PF14Z ,  3G384BA05 ,  3G384CA01 ,  3G384CA03 ,  3G384CA05 ,  3G384DA15 ,  3G384EA02 ,  3G384EA07 ,  3G384EB02 ,  3G384ED07 ,  3G384ED12 ,  3G384EE31 ,  3G384FA01Z ,  3G384FA06Z ,  3G384FA28Z ,  3G384FA56Z ,  3G384FA58Z ,  3G384FA61Z ,  3G384FA81Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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