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J-GLOBAL ID：200903017213975400
多結晶シリコンの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大島 正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207071
Publication number (International publication number)：1996067511
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 機械的加工物であるにもかかわらず、表面が鉄原子で汚染されていない高純度の多結晶シリコンを得る。【構成】 表面が鉄原子で汚染された多結晶シリコンを好適には王水、水および弗酸で順次洗浄する。例えば、硝酸:塩酸(容量比)=1:1の王水、水および1〜20重量%の弗酸でこの順に洗浄する。
Claim (excerpt)：
表面が鉄原子で汚染された多結晶シリコンを、酸化性の薬液、水、および酸化膜を分解し得る薬液で順次洗浄することを特徴とする表面が清浄な多結晶シリコンの製造方法。
IPC (3)：
C01B 33/02
, B08B 3/08
, C01B 33/037
