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J-GLOBAL ID：200903017216653519

複合磁性体及びその製造方法

Inventor： 小湯原 徳和 ,  明穂 良則
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999114945
Publication number (International publication number)：2000021620
Application date： Apr. 22, 1999
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 300MHzから3GHzの周波数帯域でノイズ吸収特性に優れる複合磁性体を得る。【解決手段】 磁性体から成る連続層と絶縁性セラミックあるいは非磁性体から成る非多孔性の分散層を有し、かつ、初透磁率が10以上500以下,100MHzにおける誘電率が50以下であることを特徴とする複合磁性体。

Claim (excerpt)：

磁性体から成る連続層(第1層)と絶縁性セラミックから成る非多孔性の分散層(第2層)を有する構造を持ち、かつ、初透磁率が10以上500以下,100MHzにおける誘電率が50以下であることを特徴とする複合磁性体。

IPC (2)：

H01F 1/34 ,  H01F 1/00

FI (3)：

H01F 1/34 A ,  H01F 1/00 C ,  H01F 1/34 B