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J-GLOBAL ID:200903017219717895
チオアニソール誘導体およびその製造方法
Inventor:
,
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
細田 芳徳
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997150156
Publication number (International publication number):1998330352
Application date: May. 23, 1997
Publication date: Dec. 15, 1998
Summary:
【要約】【課題】望まれる光学材料の特性を有する、すなわち高屈折率を有し、比重が小さい樹脂を製造するために好適な単量体であるチオアニソール誘導体を提供すること、チオアニソール誘導体の製造方法を提供すること、該チオアニソール誘導体の有用な出発原料である2,4-ビス(ハロゲノメチル)チオアニソールを提供すること、ならびに該2,4-ビス(ハロゲノメチル)チオアニソールの製造方法を提供すること。【解決手段】一般式 (I):【化1】(式中、nは0〜2の整数を示す)で表されるチオアニソール誘導体、および該チオアニソール誘導体の製造方法。
Claim (excerpt):
一般式 (I):【化1】(式中、nは0〜2の整数を示す)で表されるチオアニソール誘導体。
IPC (6):
C07C321/28
, B01J 27/02
, C07C319/14
, C07C319/20
, C07C323/09
, C07B 61/00 300
FI (6):
C07C321/28
, B01J 27/02 X
, C07C319/14
, C07C319/20
, C07C323/09
, C07B 61/00 300
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