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J-GLOBAL ID：200903017231318726

半導体装置

Inventor： 金岡 竜範 ,  常峰 美和
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991225671
Publication number (International publication number)：1993063157
Application date： Sep. 05, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 タンタル酸化膜を用いた半導体装置のキャパシタであって、タンタル酸化膜と電極とのあいだに、Ta、Si、Oにより構成される比誘電率の小さい界面層の形成を防止して容量の低下を防ぐことを目的とする。【構成】 キャパシタ下部電極膜5を金属タンタル膜(Ta膜)52とn+型多結晶シリコン51の二層構造とし、かつ、金属タンタル膜52上にタンタル酸化膜8を形成すること、または下部電極膜とタンタル酸化膜とのあいだにタンタル窒化膜を形成することにより、Ta、Si、Oにより構成される低誘電率の界面層の形成を防止する。

Claim (excerpt)：

二つの電極膜のあいだに誘電体膜が配置されて形成されたキャパシタを有する半導体装置であって、前記誘電体膜がタンタル酸化膜で形成され、前記電極膜の少なくとも下側の電極膜の前記誘電体膜側に金属タンタル膜が形成されてなる半導体装置。