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J-GLOBAL ID：200903017242485659

化合物半導体集積回路

Inventor： 木下 義弘
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992060374
Publication number (International publication number)：1994037119
Application date： Mar. 17, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明はヘテロ接合型デバイスの集積化技術に係り、特にHEMT-IC等に使用される小型化が可能で、しかも高周波特性の良好な化合物半導体集積回路に関し、接地が取りやすく、パッド数や配線数のより少ない化合物半導体集積回路を提供することを目的とする。【構成】 化合物半導体のN型基板8上に成長した高抵抗のバッファ層7と、前記バッファ層7の上に形成される動作層4、5、及び6と、前記N型基板8上に形成された接地電極11及びソース電極1とを具備し、前記ソース電極1と接地電極11を配線メタルで接続することにより接地をとる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体のN型基板上に成長した高抵抗のバッファ層と、前記バッファ層の上に形成される動作層と、前記N型基板上に形成された接地電極及びソース電極とを有し、前記ソース電極と接地電極を配線メタルで接続することにより接地することを特徴とする化合物半導体集積回路。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/095

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-059875
  
• 特開平4-039968
  
• 特開昭60-053089