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J-GLOBAL ID：200903017244927357

EUVリソグラフィ用マスクの白欠陥修正方法

Inventor： 高岡 修
Applicant, Patent owner： セイコーインスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 坂上 正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001326563
Publication number (International publication number)：2003133206
Application date： Oct. 24, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】 バッファーレイヤのないEUVLマスクに対しても適応可能な低ダメージで高スループットの白欠陥修正を可能にする。【解決手段】 集束電子ビームと集束イオンビームを有する欠陥修正装置で、白欠陥の認識は集束電子ビーム2で行い、次に認識した白欠陥領域にガス銃10からW(CO)6等の吸収体原料ガスを流しながら電子ビームCVDで、次段階の集束イオンビームのテール成分の影響が及ばないように欠陥の外縁部に厚く内側にイオンビームの注入によるダメージが及ばない厚さの吸収体膜25を堆積する。次に電子ビームCVDでできた吸収体のくぼみの領域24をガス銃10からW(CO)6等の吸収体原料ガスを流しながら集束イオンビーム12のFIB-CVDで高速に吸収体膜26を堆積することで下地のバッファーレイヤ28(バッファーレイヤのないEUVLマスクではMo/Si多層膜29)にダメージのない白欠陥の修正を行う。

Claim (excerpt)：

集束電子ビームと集束イオンビームを有する欠陥修正装置において、集束電子ビームで次段階の集束イオンビームのダメージが及ばないように欠陥の外縁部に十分な厚みの吸収体膜とその内側には薄い吸収体膜を堆積し、次に集束イオンビームで高速に吸収体膜を堆積することで修正することを特徴とするEUVリソグラフィ用マスクの白欠陥修正方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16

FI (2)：

G03F 1/16 G ,  H01L 21/30 531 M

F-Term (5)：

2H095BA10 ,  2H095BD33 ,  2H095BD35 ,  2H095BD36 ,  5F046GD11