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J-GLOBAL ID：200903017246732812
絶縁膜の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272095
Publication number (International publication number)：1994124942
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】主コイルと補助コイルとを有するECRプラズマCVD装置を用いて絶縁膜を製造する際の絶縁膜製造方法として、生成膜の残留応力が小さく、またアニールによる膜応力の変動も小さく、かつ耐透水性にすぐれた絶縁膜製造方法を提供する。【構成】主コイル4と補助コイル11とによりミラー磁界を形成し、ミラー磁界の中心軸に垂直な断面内の磁束密度が最小となる位置,すなわち磁束密度分布が最も均一となる位置から軸方向に±20mm以内の範囲内に基板9を配置して成膜プロセスに入る製造方法とする。成膜プロセス中の成膜条件中、特に膜応力および耐透水性に着目した条件として、ガス流量比をSiH4 /O2 =0.72〜0.92,基板温度を200〜300°Cとする。
Claim (excerpt)：
マイクロ波透過窓を一方の端面に備えるとともにプラズマ生成用ガスが導入される筒状のプラズマ生成室と、該プラズマ生成室の外側に該プラズマ生成室と同軸に配され該プラズマ生成室内にマイクロ透過窓を通して導入されたマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴を生じる磁界領域を形成する主コイルと、マイクロ波透過窓と対面する側でプラズマ生成室と連通し被成膜基板が置かれるとともに反応性ガスが導入される反応室と、被成膜基板に高周波電力を供給する高周波電源と、主コイルと同軸に被成膜基板の裏面側に配される補助コイルとを備えてなる電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD装置を用い、プラズマ生成室に導入するプラズマ生成用ガスとしてO2 を、反応室に導入する反応性ガスとしてSiH4 を用いて被成膜基板表面にSiO2 絶縁膜を形成する絶縁膜製造方法において、主コイルと補助コイルとにより形成される磁界をミラー磁界とし、該ミラー磁界の中心軸に垂直な断面内の磁束密度が最小となる該断面の軸方向位置から軸方向に±20mm以内の位置に被成膜基板を配置することを特徴とする絶縁膜の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, H01L 21/205
, H01L 21/31
