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J-GLOBAL ID：200903017250330885

メモリ装置

Inventor： ジョナサン イーアン マースターズ
Applicant, Patent owner： ノキア モービル フォーンズ リミテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997264336
Publication number (International publication number)：1998124401
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フラッシュメモリについてメモリの消耗を均一化する。【解決手段】 第1のメモリ領域として所定の閾値を越える複数の使用されたメモリ領域を検出する段階と、電子信号を記憶するため利用できる第2のメモリ領域を決める段階と、そして前記の第1のメモリー領域に記憶されたパラメータデータを表している電子信号に対応する電子信号を前記の第2のメモリ領域に記憶させる段階とを備えるメモリ管理方法。それによってメモリの消耗を均一化する。

Claim (excerpt)：

第1のメモリ領域として所定の閾値を越える複数の使用されたメモリ領域を検出する段階、電子信号を記憶するため利用できる第2のメモリ領域を決める段階、そして前記の第1のメモリー領域に記憶されたパラメータデータを表している電子信号に対応する電子信号を前記の第2のメモリ領域に記憶させる段階を備えたことを特徴とするメモリ管理方法。

IPC (2)：

G06F 12/16 310 ,  G11C 16/02

FI (2)：

G06F 12/16 310 Q ,  G11C 17/00 611 Z