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J-GLOBAL ID：200903017252643457

液体原料用CVD装置

Inventor： 土井 伸昭 ,  内川 英興 ,  渡井 久男 ,  松野 繁 ,  木ノ内 伸一 ,  松井 安次 ,  結城 昭正 ,  川原 孝昭 ,  西本 章 ,  蔦原 晃一郎 ,  檜垣 孝志 ,  奥平 智仁 ,  柏原 慶一朗 ,  江島 泰蔵
Applicant, Patent owner： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993100869
Publication number (International publication number)：1994310444
Application date： Apr. 27, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 均一な気化困難な液体原料の気化および成膜中において、原料溶液内の溶液の濃度ならびに気化状態が変化するのを抑止することによって、気化器や輸送管内の粒子析出、詰まりを防止するとともに、組成ずれのない性能の良好な薄膜を成膜できるCVD装置を提供する。【構成】 原料容器10とは別個に設けられた気化器13にノズル12を設け、原料溶液をノズル12から気化器13の内部に噴出せしめて霧状にしたのち、加熱ヒーター14により加熱して気化し、原料ガス輸送管5によって前記気化した原料ガスを、加熱手段6によって熱せられる反応炉7に導入し、反応ガス輸送管9から送られる反応ガスと成膜基板8上で反応せしめてCVD法による薄膜をうる装置。

Claim (excerpt)：

原料溶液を入れるための原料容器、前記原料溶液をあらかじめ霧化する手段、該霧化した原料溶液を加熱によって気化する気化器、気化した原料ガスを輸送する原料ガス輸送管および該原料ガス輸送管から導入された原料ガスの加熱手段を有する反応炉を具備してなる液体原料用CVD装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  B01J 12/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-022106
  
• 特開平3-126872
  
• 特開平3-008330