Pat

J-GLOBAL ID：200903017268668581

薄膜の製造方法およびこれを用いた相変化メモリ素子の製造方法

Inventor： 申 雄 ▲てつ▼ ,  姜 允 善
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (6)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007155150
Publication number (International publication number)：2008004935
Application date： Jun. 12, 2007
Publication date： Jan. 10, 2008
Summary：

【課題】非晶質物質層上に結晶性および表面モルフォロジーに優れた薄膜を形成させうる薄膜の製造方法およびこれを用いた相変化メモリ素子の製造方法を提供する。【解決手段】非晶質物質層の上表面にゲルマニウム前駆体、アンチモン前駆体、およびテルル前駆体からなる群より選択される1種または2種を供給することによって、ゲルマニウム、アンチモン、テルル、テルル化アンチモン、およびアンチモンがドープされたゲルマニウムからなる群より選択される少なくとも1種を含むシード層を形成する段階と、前記シード層上にゲルマニウム前駆体、アンチモン前駆体、およびテルル前駆体からなる群より選択される少なくとも1種を供給して、薄膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする薄膜の製造方法、およびこれを用いた相変化メモリ素子の製造方法である。【選択図】図1C

Claim (excerpt)：

非晶質物質層の上表面にゲルマニウム前駆体、アンチモン前駆体、およびテルル前駆体からなる群より選択される1種または2種を供給することによって、ゲルマニウム、アンチモン、テルル、テルル化アンチモン、およびアンチモンがドープされたゲルマニウムからなる群より選択される少なくとも1種を含むシード層を形成する段階と、 前記シード層上にゲルマニウム前駆体、アンチモン前駆体、およびテルル前駆体からなる群より選択される少なくとも1種を供給して、薄膜を形成する段階と、 を含むことを特徴とする、薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

F-Term (11)：

5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21